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1：动态栅压应力：可生成高频率（可达MHz级）、高上升沿（达数百V/µs）的动态栅极电压波形，模拟开关过程中的栅极振铃、米勒平台效应。
2：双极性应力能力：支持正偏（+Vgs）、负偏（-Vgs）及正负交替的复合应力模式，全面评估栅氧的耐受性。
3：在线参数测量：在不中断应力条件下，周期性自动测量阈值电压（Vth）、栅极漏电流（Igss）、跨导（Gfs）等关键参数的漂移。
4：窄脉冲测试技术：集成高精度窄脉冲测量单元，避免器件自热对参数测量（尤其是Vth）的影响，获取真实电学特性。
5：智能预警与分析：软件可实时跟踪参数退化轨迹，预判失效趋势，并支持电荷泵（Charge Pumping）等专项分析的数据输出。
高温动态栅偏老化测试系统是针对现代功率MOSFET与IGBT栅极可靠性挑战的前沿测试解决方案。随着器件开关速度的不断提升（尤其是宽禁带半导体），栅极在实际应用中承受着高速开关带来的电压过冲、振铃等动态应力，这比单纯的静态偏压更能考验栅氧介质的坚固性与界面的稳定性。本系统不仅提供传统的高温静态栅偏应力，更具备业界先进的动态栅压施加能力。它能产生频率达MHz级、压摆率达数百伏每微秒的复杂栅极波形，精确复现实际驱动电路中出现的动态应力场景。在持续施加动态应力的同时，系统可周期性中断并利用窄脉冲技术精确测量阈值电压、栅极漏电流等关键参数的漂移，避免自热效应带来的测量误差。该系统对于评估和比较不同栅氧工艺、栅极结构的动态可靠性，预测器件在高频开关应用中的长期稳定性，以及制定栅极驱动保护策略具有不可替代的价值，是开发高可靠性、高频功率器件的关键研发工具。
| 静态栅压范围 | DC ±40V（可扩展至±100V） |
| 动态栅压峰值 | ±40V（方波、三角波、自定义波形） |
| 动态电压切换速率 | 最高>500 V/µs |
| 动态应力频率 | DC 至 5MHz |
| 测试温度范围 | 室温 ~ 200℃（高温腔） |
| 参数测量精度 | Vth ±0.5%， Igss 测量下限 1pA |
| 并行测试通道 | 8/16/32（可选） |
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