高温反偏老化测试系统-半导体检测产品-武汉爱疆科技有限公司

高温反偏老化测试系统

1：高压精准施加：采用低纹波高压直流电源，结合动态电压补偿技术，确保在长时间测试中反向偏置电压（Vds或Vce）的稳定精度。

2：高温均匀性控制：高温腔体采用多区加热与强制风循环设计，实现工作温度范围内（最高200℃）的均匀性≤±2℃，避免热梯度引入的测量误差。

3：微弱电流检测：配置高分辨率皮安表，可准确测量nA级至mA级的漏电流（Idss/Ic），并具备自动量程切换与漂移补偿功能。

4：多通道同步测试：支持高达64通道的并行测试，每通道独立供电、监测与保护，配备高压矩阵切换系统，提升测试容量。

5：安全联锁机制：具备门禁开关、紧急断电、气体灭火接口，高压区与操作区物理隔离，符合CLASS 10000洁净环境适配要求。

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一、产品介绍

高温反偏老化测试系统是考核功率器件长期绝缘可靠性与材料稳定性的基石型测试平台。在高温环境下对器件施加持续的高反向电压，这一严苛条件将加速暴露栅氧缺陷、体内杂质离子迁移、表面钝化层失效以及封装材料退化等潜在风险。本系统集成了高稳定度高压源、精准控温环境箱与皮安级微弱电流检测电路，能够长时间（通常数百至上千小时）维持稳定的温度与电压应力。其核心在于精确监测器件在高压应力下的漏电流（如IGBT的Iceo， MOSFET的Idss）的微妙变化，该变化往往是器件性能劣化的早期征兆。系统支持多通道并行测试，极大提升了测试通量与数据统计意义。无论是用于研发阶段的新结构、新材料评估，还是量产阶段的质量一致性筛查与可靠性认证，HTRB测试都是验证器件能否在高压高温环境下“静默”地可靠工作不可或缺的一环。

二、参数介绍

反向偏置电压	DC 0 ~ 3000V / 6000V（可选）
电压稳定度	≤±0.5% F.S.
漏电流测量范围	1pA ~ 100mA
高温箱温度范围	室温+10℃ ~ 200℃
温度均匀性	≤±2℃ @150℃
测试通道数	16/32/64/128（可选）
数据采样间隔	1秒 ~ 24小时可设

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