随着新能源汽车、光伏储能、高端工控产业快速迭代，IGBT、SiC MOSFET等功率半导体器件向高压、高频、高效率方向快速升级，器件的静态稳态性能与动态开关特性，直接决定终端设备的能效、稳定性与使用寿命。动静态一体化检测作为器件研发迭代、车规认证、量产质控的核心环节，是支撑功率半导体产业高质量发展的关键。当前行业高端检测设备长期依赖进口，存在成本高、售后滞后、适配性差等问题，国产化一体化检测方案成为行业刚需，其中爱疆科技自研的全栈检测解决方案，有效破解了行业测试痛点。

功率半导体检测分为静态检测与动态检测两大核心板块，二者相辅相成、缺一不可。静态检测主要测试器件直流稳态参数，包含击穿电压、导通电阻、阈值电压、漏电流、I-V特性及极间电容等核心指标，主要用于器件选型标定、出厂筛查与老化性能对比，传统设备普遍存在微弱电流检测精度不足、SiC器件温漂参数测量误差大等问题。动态检测聚焦器件高频瞬态工况特性，涵盖开关延时、升降沿、开关损耗、反向恢复、短路耐受能力等关键参数，是评估器件真实工况性能、保障整机运行安全的核心，对设备采样速度、杂散抑制、安全防护能力要求极高。

针对行业检测痛点，爱疆科技打造了集静态精密测试、动态双脉冲测试、AI智能数据分析于一体的功率半导体专用检测解决方案，全面适配硅基、碳化硅、氮化镓分立器件与大功率模组，覆盖研发、量产、车规认证全场景。

在静态检测层面，方案搭载高精度直流测试单元，采用多层电磁屏蔽设计，可实现nA级漏电流、μΩ级导通电阻精准检测，全量程测量误差低于0.1%。设备支持0~3000V宽电压量程与常温至200℃变温测试，可精准捕捉宽禁带器件阈值电压温漂特征，精准适配晶圆测试、器件标定、来料筛查等场景。

动态检测核心为爱疆科技自研AMDT动态测试系统，采用低杂散电感腔体设计，搭配纳秒级高速采集模块，可精准捕捉SiC器件10ns级高频开关边沿，大幅降低开关损耗计算偏差。设备支持双脉冲、单脉冲、短路冲击多模式测试，搭载全域硬件防护体系，可有效规避高压测试工况下的器件损坏风险，同时兼容650V至1700V主流功率器件，无需人工频繁更换负载，测试效率大幅提升。

配套自研星汉AI 2.0智能软件平台，打通动静态测试数据闭环，可实现一键自动化测试、波形智能分析、损耗自动积分、数据批量溯源，自动生成符合JEDEC、车规标准的测试报告，可对接工厂MES系统，适配自动化产线生产需求。同时设备采用模块化架构，支持量程按需扩容、软件终身迭代，大幅降低企业设备升级成本。