硅片不同波长的穿透深度
硅片中不同波长光的穿透深度存在显著差异,这一特性对光伏电池的设计与性能评估至关重要。以下是不同波长光在硅片中的穿透深度规律,同时结合爱疆科技电池片检测仪的推广信息,展现其在光伏检测领域的专业优势:
一、硅片中不同波长光的穿透深度特性
紫外光(波长小于400nm)
穿透深度极浅,例如265nm紫外光在硅中的穿透深度仅几纳米。由于光子能量高,紫外光在硅片表面附近即被强烈吸收,这一特性需在电池片表面钝化工艺中重点考量。可见光(400-700nm)
穿透深度随波长增加而增大。蓝光(短波长)吸收较强,穿透较浅;红光(长波长)可深入硅片内部。可见光范围是晶硅电池的主要吸收区,其穿透特性直接影响电池的短路电流和转换效率。近红外光(1.2μm-4μm)
穿透深度显著增加,例如1000nm近红外光穿透深度达156.2μm。这一波段是薄膜电池和异质结电池(HJT)的重要吸收区,其穿透特性对电池结构设计(如背表面场、透明导电层)具有指导意义。远红外光(4μm-8μm)及更长波长
穿透深度逐渐减小,透光率显著降低。波长超过8μm的红外光几乎无法穿透硅片,这一特性在电池片热管理设计中需重点考虑。

二、爱疆科技电池片检测仪:精准解析光穿透与电池性能
针对硅片光穿透特性的复杂需求,爱疆科技电池片检测仪提供以下核心解决方案:
全光谱响应测试(300nm-1200nm)
覆盖紫外到近红外全波段,精准测量不同波长下的光电流响应,量化评估电池片对各波段光的吸收效率,为优化电池结构(如减反射层、钝化层)提供数据支撑。高精度穿透深度模拟
结合光束诱导电流(LBIC)技术,通过扫描式光注入定位电池片内部载流子分布,直观呈现不同波长光在硅片中的穿透路径与吸收深度,辅助分析电池片局部缺陷(如隐裂、断栅)对光吸收的影响。多模式IV曲线测试
支持线性扫描、非线性扫描及双扫磁滞模式,精准捕捉电池片在不同光照条件下的电性能参数(如Voc、Isc、FF)。通过对比不同波长下的IV曲线,可定量评估光穿透特性对电池转换效率的贡献。自动化校准与故障定位
采用标准组件单次自动校准光强,确保测试结果稳定性;集成故障定位功能,可快速识别电池片中因光吸收不均导致的热点、隐裂等问题,提升生产良率。

三、助力HJT电池效率提升
近红外波段(900-1100nm)光穿透深度较传统PERC电池增加30%,但背表面场吸收效率不足;
通过优化透明导电氧化物(TCO)层厚度,近红外光吸收率提升12%,最终电池转换效率提高0.8%。
爱疆科技电池片检测仪以全光谱、高精度、智能化的检测能力,为光伏企业提供从材料研发到量产质检的全流程解决方案,助力行业突破效率极限,加速绿色能源转型。









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