1:采用高精密度恒流源和电压表,测试准确度良好和稳定性高;
2:测试参数与科研设备一致,功能齐全,极具性价比;
3:可对非标准样品测试,装夹方便,同时满足教学和科研需求;
4:创新实验设备,可作为大学物理基础实验的对比与补充;
5:自带软件,针对国人使用优化,测试过程更加方便;
霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量.
可应用于所有半导体材料,包括 Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP, GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
设备型号 | HET-3L | HET-3RT | HET-3 |
温度范围 | 室温 | 室温 | 80K~573K |
磁场感应强度 | 0.6T | 0.6T | 0.6T |
电阻率范围 | 10- 5 -106Ω•cm | 10- 6 -107Ω•cm | 10- 5 -106Ω•cm |
霍尔系数范围 | 10-2-106cm3/C | 10-3-109cm3/C | 10-2-106cm3/C |
迁移率范围 | 1-105cm2/(V•s) | 1-107cm2/(V•s) | 10-105cm2/(V•s) |
载流子浓度范围 | 1012-1021/cm3 | 107-1021/cm3 | 1012-1022/cm3 |
载流子浓度范围 | 边长或直径:10mm-20mm;厚度:10nm-1mm | ||
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